Чип памяти HBM3E 12H
Компания Samsung Electronics анонсировала высокоскоростной чип памяти HBM3E 12H, который, по ее словам, обладает самой высокой на сегодня емкостью в отрасли.
По данным Samsung, новинка превосходит предшественников более чем на 50% по производительности и объему памяти.
Чип ориентирован на растущие потребности сервисов искусственного интеллекта. Он имеет 12-слойную архитектуру, но благодаря усовершенствованной технологии занимает такой же объем, что и 8-слойные решения. Это позволило на 20% увеличить плотность размещения элементов по сравнению с предыдущей линейкой HBM3.
Samsung уже начала поставки HBM3E 12H партнерам, а массовое производство запланировано на первую половину 2024 года. По мнению аналитиков, новая разработка усилит позиции компании на рынке решений для искусственного интеллекта, где растет спрос на производительную память.
Ранее конкурент Samsung — компания SK Hynix — лидировала в производстве чипов HBM3, в том числе для NVIDIA. Теперь корейский технологический гигант намерен вернуть себе первенство в этом сегменте.